Semiisolierendes Siliziumkarbid als Substratmaterial für Anwendungen in der Hochfrequenz-Technik
Seiten
2006
|
1., Aufl.
Shaker (Verlag)
978-3-8322-4829-1 (ISBN)
Shaker (Verlag)
978-3-8322-4829-1 (ISBN)
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| Reihe/Serie | Berichte aus der Halbleitertechnik |
|---|---|
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Gewicht | 188 g |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | 2005 • Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg • Halbleitertechnik • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Hochfrequenztechnik • Kristallzüchtung • Leistungsverstärker • SiC |
| ISBN-10 | 3-8322-4829-3 / 3832248293 |
| ISBN-13 | 978-3-8322-4829-1 / 9783832248291 |
| Zustand | Neuware |
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